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ttl和cmos的区别|

ttl和cmos的区别

CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路);

ttl和cmos的区别|

COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作; 

CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差;

CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门);

CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当;

CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大;

通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大,工作速度越低。

cmos和ccd的区别是什么

成像过程不同:由于CCD仅有一个(或少数几个)输出节点统一读出,其信号输出的一致性非常好;而CMOS芯片中,每个像素都有各自的信号放大器,各自进行电荷-电压的转换,其信号输出的一致性较差。

集成性不同:CCD仅能输出模拟电信号,需要后续的地址译码器、模拟转换器、图像信号处理器处理,并且还需要提供三组不同电压的电源同步时钟控制电路,集成度非常低。而CMOS芯片能将图像信号放大器、信号读取电路、A/D转换电路、图像信号处理器及控制器等集成到一块芯片上,只需一块芯片就可以实现相机的的所有基本功能,集成度很高。

速度不同:CCD采用逐个光敏输出,只能按照规定的程序输出,速度较慢;CMOS有多个电荷—电压转换器和行列开关控制,读出速度快很多,大部分500fps以上的高速相机都是CMOS相机。

噪点不同:CCD技术发展较早,比较成熟,采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS图像传感器集成度高,各元件、电路之间距离很近,干扰比较严重,噪点对图像质量影响很大。


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